logo薄膜沉积设备
- 金属有机化学气相沉积 (MOCVD)：使用有机前驱物气体在基底上生长晶体薄膜。
- 分子束外延 (MBE)：通过高能分子束在基底上逐层沉积原子。
- 化学气相沉积 (CVD)：使用气态前驱物在基底上形成薄膜。
- 物理气相沉积 (PVD)：通过物理方法（如溅射、蒸发）将材料转移到基底上。
- 原子层沉积 (ALD)：交替脉冲气态前驱物，在基底上逐层沉积薄膜。
薄膜蚀刻设备
- 反应离子刻蚀 (RIE)：使用等离子体和反应性气体蚀刻薄膜。
- 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)：在等离子体中使用气态前驱物沉积和蚀刻薄膜。
- 溅射刻蚀：使用离子束溅射蚀刻薄膜。
- 激光刻蚀：使用激光束蚀刻薄膜。
- 湿法刻蚀：使用化学溶液蚀刻薄膜。
薄膜测量设备
- 椭偏仪：测量薄膜的光学特性（例如厚度、折射率）。
- X 射线衍射 (XRD)：分析薄膜的晶体结构。
- 扫描电子显微镜 (SEM)：观察薄膜的表面形态。
- 透过电子显微镜 (TEM)：观察薄膜的内部结构。
- 原子力显微镜 (AFM)：测量薄膜的表面粗糙度和形貌。
其他
- 涂层设备：在基底上涂覆保护层或装饰层。
- 退火炉：对薄膜进行热处理，以提高其性能或稳定性。
- 溅射靶材：用于物理气相沉积的材料源。
- 真空系统：用于薄膜沉积和蚀刻过程中的真空环境。
