logo物理气相沉积 (PVD)
- 溅射沉积：利用离子轰击靶材，使靶材上的原子溅射沉积到基底上。
- 蒸发沉积：加热靶材，使其升华形成蒸汽，然后沉积到基底上。
- 分子束外延 (MBE)：利用分子束在基底上生长高质量的单晶薄膜。
化学气相沉积 (CVD)
- 金属有机化学气相沉积 (MOCVD)：使用金属有机前驱体，在高温下分解沉积成金属薄膜。
- 化学气相沉积 (PECVD)：利用低温等离子体促进气相反应，沉积薄膜。
- 原子层沉积 (ALD)：利用自限反应，一次沉积一个原子层。
电镀沉积
- 电化学沉积：利用电化学反应在基底上电镀金属薄膜。
其他技术
- 溶胶凝胶法：使用溶胶凝胶前驱体，通过溶胶-凝胶过程沉积薄膜。
- 喷雾热解沉积：使用喷雾器将前驱体雾化，然后在高温下热解沉积成薄膜。
- 激光沉积：使用激光熔化靶材，使其蒸发沉积成薄膜。
比较
不同的沉积技术具有不同的特点和应用：
- PVD：可沉积各种材料，沉积速率高，薄膜致密；缺点是薄膜可能存在应力。
- CVD：可沉积各种材料，薄膜均匀，应力低；缺点是沉积速率较慢，设备成本较高。
- 电镀：可沉积金属薄膜，沉积速率快，成本低；缺点是薄膜厚度限制，且可能产生污染。
- 其他技术：可用于沉积特殊材料或薄膜结构；缺点是设备成本高，工艺复杂。
